Tillverkare Produktnummer:
TSM2N100CP ROG
Product Overview
Tillverkare:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
TSM2N100CP ROG-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventarier:
12897073
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
TSM2N100CP ROG Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Taiwan Semiconductor
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1000 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.85A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
8.5Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
625 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
77W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252 (DPAK)
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
TSM2N100
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Andra namn
TSM2N100CP ROGDKR-DG
TSM2N100CPROGDKR
TSM2N100CP ROGTR-DG
TSM2N100CP ROGCT-DG
TSM2N100CP ROGDKR
TSM2N100CP ROGCT
TSM2N100CPROGCT
TSM2N100CP ROGTR
TSM2N100CPROGTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXTY1R6N100D2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXTY1R6N100D2-DG
ENHETSPRIS
1.54
Ersättnings typ
Similar
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DMPH1006UPS-13
MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8
TSM60N900CH C5G
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251
DMT6009LFG-13
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
